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MOS管偏置电路-MOS管直流、恒流等偏置电路图文及方程详解-KIA

归档日期:07-25       文本归类:单管      文章编辑:爱尚语录

  MOS管偏置电路-MOS管直流、恒流等偏置电路图文及方程详解-KIA MOS管

  当伟提高稳定工作点的能力而增大RS时,IDQ减小,(Q下移),使gm和AU随之减少。

  将转移性的近似函数式与根据电路列出的直流电压方程联立,就可求解静态工作点。

  下图所示为MOS场效应管高祖偏置的电路图。场效应管在工作中让其输入回路的PN结工作于反向偏置,以减小输入电流,提高输入电阻。MOS场效应管是通过改变UGS来改变栅极下方半导体中的电场强度,控制感应电荷的多少,进而控制导电沟道的导电能力。

  通常,当RL?R时,流过光敏电阻的电流基本不变,此时的偏置电路称为恒流电路。然而,光敏电阻自身的阻值已经很高,再满足恒流偏置的条件就难以满足电路输出阻抗的要求,为此,可引入如下图所示的晶体管恒流偏置电路。

  稳压管DW将晶体三极管的基极电压稳定,即UB=UW,流过晶体三极管发射极的电流Ie为

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