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IGBT模块的工作原理?

归档日期:08-17       文本归类:单管      文章编辑:爱尚语录

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  IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor(绝缘栅双极型晶体管)的缩写,IGBT是由MOSFET和双极型晶体管复合而成的一种器件,其输入极为MOSFET,输出极为PNP晶体管,它融和了这两种器件的优点,既具有MOSFET器件驱动功率小和开关速度快的优点,又具有双极型器件饱和压降低而容量大的优点,其频率特性介于MOSFET与功率晶体管之间,可正常工作于几十kHz频率范围内,在较高频率的大、中功率应用中占据了主导地位。

  IGBT模块其实就是个电子开关,特点是可以用低压小电流控制高压大电流,其Vge开启电压可低至零点几伏,但能控制的高压可高达上千伏。工作原理简述如下:当Vge电压达到/超过Vge开启电压(参数里是写的Vge(TH))时,IGBT开启,这时候C极到E极导通(压降在几伏特,根据Ic电流不同/温度不同而有很大差异),Ic(经过C极的电流)可以很大,十几甚至几十安培都有。一般IGBT都有个钳位电压,常见的有400V、600V、1000V,也还有更高的,需依实际需求来选择。最简单的理解,你可以当他是个NPN的三极管,工作原理类似

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